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              等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)

              等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)

              等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD),三温区CVD系统,生长样品腔的管径60-120mm,它是由高温管式炉、多路高精度流量控制与供气系统、机械泵、真空密封及测量系统、尾气处理系统组成,极限真空度可达 10^-5 torr 。

              主要特点:

              1,优势在于薄膜材料、低维纳米材料等的制备(尤其适用于过渡金属二维半导体材料的生长与原位掺杂,以及多元二维材料的生长)

              2,可选配远程等离子射频发生系统,可用于薄膜材料、低维纳米材料等的等离子体辅助生长、刻蚀加工与材料表面修饰(尤其适用于石墨烯、氮化硼等二维材料的无催化生长,缺陷调控,以及器件制作工艺中的残胶去除)

              3,生长工艺设计先进,能满足衬底无催化生长

              4,应用案例(点击跳转)

               

              设备主要技术参数

              温控参数 单位
              温度 1200
              功率 6.5 kw
              温控精度 ±1
              真空系统
              真空泵 1 x 10-3 (7.5 x 10-4) mbar (Torr)
              真空泵(开气镇) 1.5 x 10-2 (1.1 x 10-2) mbar (Torr)
              真空泵(使用PEPE 油) 1 x 10-2(7.5 x 10-3) mbar (Torr)
              腔体内真空度 优于2.0*10-2 Torr
              流量控制参数
              泄露率 <4×10-9 atm-cc/secHe
              分辨率 全量程的0.1%
              响应时间气特性 <2 s
              响应时间电特性 500 ms
              尾气吸收参数
              材质 壳体铝合金、不锈钢
              吸气腔 聚四氟乙烯
              等离子体系统参数
              功率输出 5 – 300,5 – 500 W
              信号频率 13.56 ±0.005% MHz
              反射功率 200 W
              功率稳定度 ±0.1%
              谐波分量 ≤-50 dbc
              供电电压 187V – 253V —- 频率50/60HZ

              以上就是东莞市卓聚科技有限公司提供的等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)的介绍,

              详细情况欢迎您咨询我们,客服电话:400-966-2800

               

               

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